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          案例展示

          國家存儲器基地使用松夏ZTF型彈簧隔振器

          國家存儲器基地 
          國家存儲器基地位于武漢光谷 [1]  。存儲器芯片市場是全球壟斷最為嚴重的芯片細分市場,DRAM和NANDFLASH芯片市場長期被韓國美日壟斷,尤其以韓國三星、SKHynix兩家為首,共占據了DRAM市場和NANDFLASH市場70%和50%的市場份額。中國于2013年發布了自主研發的55納米相變存儲芯片,成為繼美國和韓國后,全球第三個掌握相變存儲技術的國家。
          項目開工編輯
          2017年1月1日,總投資240億美元的“國家存儲器基地”項目在武漢東湖高新區正式開工。 [3] 
          項目圖片
          建設方編輯
          “國家存儲器基地”項目由紫光集團聯合國家集成電路產業基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設。以芯片制造環節為突破口,集存儲器產品設計、技術研發、晶圓生產與測試、銷售于一體,建成后,還將帶動設計、封裝、制造、應用等芯片產業相關環節的發展。 [3] 
          項目內容編輯
          “國家存儲器基地”項目位于武漢東湖高新區武漢未來科技城,將建設3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發大樓和其他若干配套建筑,其核心生產廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元。項目一期計劃2018年建成投產,2020年完成整個項目,總產能將達到30萬片/月,年產值將超過100億美元。 [3] 
          意義編輯
          芯片國產化是中國在信息安全自主可控政策的實踐領域之一,作為信息技術的基礎產業,半導體集成電路持續受到了國家政策的扶持。而存儲器是集成電路產業的基礎產品之一,產品的成熟度和產業的規模效應均較為顯著,國家存儲器基地的建立,標志著芯片國產化之路邁出可靠而重要的一步。 [2] 
          案例合同:
          案例合同1
          案例合同2
           
          產品簡介:
          產品圖片
          1、彈簧采用低頻率值設計,并經噴塑處理,耐候性強,防震效果好。
          2、頂部、底部均采用防滑耐磨橡膠以及固定螺栓,安全性能大大提高。
          3、安裝簡單并根據實際需要調整水平及高度。
          4、能夠有效隔變壓器的振動,并保護及延長其使用壽命。

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